Die Halbleiterfertigung zählt zu den präzisesten und technologisch komplexesten Bereichen der heutigen Hightech-Industrie. Mit der Weiterentwicklung der Chip-Prozesse hin zu 3 nm und noch kleineren Strukturgrößen bestimmt die Messgenauigkeit von Waferdicke, Oberflächenebenheit und Mikrostrukturabmessungen direkt die Chip-Ausbeute und -Leistung. In diesem Zusammenhang haben sich Laser-Wegsensoren mit ihrer berührungslosen Arbeitsweise, ihrer überlegenen Präzision, ihren schnelleren Reaktionszeiten und ihrer verbesserten Stabilität zu unverzichtbaren „Messaugen“ im gesamten Halbleiterfertigungsprozess entwickelt.
Als zentrales Substrat der Halbleiterfertigung erfordern Wafer höchste Präzision und Zuverlässigkeit in der Produktion. Unter den vielen kritischen Schritten der Waferherstellung ist die genaue Wegmessung von entscheidender Bedeutung – sie beeinflusst direkt die Leistung und Ausbeute des fertigen Chips. Als Innovationsführer im chinesischen Markt für industrielle Sensorik haben sich die Laser-Wegsensoren der PDE-Serie von Lansensor mit ihrer mikrometergenauen Auflösung, intelligenten Algorithmen und industriellen Zuverlässigkeit als bevorzugte Lösung für Waferfertigungsprozesse etabliert.
Präzisionsherausforderungen in der Waferfertigung und die Vorteile von Laser-Wegsensoren
Die Waferherstellung umfasst eine Reihe komplexer Prozesse wie Fotolithografie, Ätzen, Dünnschichtabscheidung und Bonden – jeder einzelne erfordert höchste Präzision im Mikrometer- oder sogar Nanometerbereich. Zum Beispiel:
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Bei der Fotolithografie ist eine präzise Ausrichtung zwischen Fotomaske und Wafer von entscheidender Bedeutung, um eine genaue Musterübertragung auf die Waferoberfläche zu gewährleisten.
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Bei der Dünnschichtabscheidung ist die genaue Kontrolle der Schichtdicke unerlässlich, um die elektrische Leistungsfähigkeit der Bauelemente zu gewährleisten.
Bereits die geringste Abweichung kann zu Produktfehlern führen oder sogar eine ganze Charge Wafer unbrauchbar machen.
Herkömmliche mechanische Messverfahren genügen oft nicht den hohen Präzisionsanforderungen. Zudem bergen sie das Risiko, die empfindliche Waferoberfläche zu beschädigen oder zu verunreinigen, und ihre langsamen Reaktionszeiten machen sie für modernste Messtechnik ungeeignet.
LanbaoSensorPDE-Serie Laser-WegsensorenDie optimale Lösung für Wafer-Anwendungen
◆Berührungslose Lasermessung
Nutzt die Projektion eines Laserstrahls auf Zieloberflächen und analysiert reflektierte/gestreute Signale, um Verschiebungsdaten zu erhalten – wodurch der physische Kontakt mit den Wafern vermieden und somit mechanische Beschädigungen und Kontaminationsrisiken vorgebeugt wird.
◆Präzision im Mikrometerbereich
Fortschrittliche Lasertechnologie und Signalverarbeitungsalgorithmen ermöglichen eine Messgenauigkeit und Auflösung im Mikrometerbereich und erfüllen damit die extremen Präzisionsanforderungen von Wafer-Herstellungsprozessen.
◆Ultraschnelle Reaktionszeit (<10 ms)
Ermöglicht die Echtzeitüberwachung dynamischer Produktionsschwankungen und damit die sofortige Erkennung und Korrektur von Abweichungen zur Steigerung der Fertigungseffizienz.
◆Außergewöhnliche Materialverträglichkeit
Es ist in der Lage, verschiedene Materialien und Oberflächenarten zu messen, verfügt über eine hohe Anpassungsfähigkeit an die Umgebungsbedingungen und eignet sich für mehrere Halbleiterprozessstufen.
◆Kompaktes Industriedesign
Die kompakte Bauform ermöglicht die nahtlose Integration in automatisierte Anlagen und Steuerungssysteme und somit eine intelligente Prozessüberwachung und Regelung im geschlossenen Regelkreis.
Anwendungsszenarien vonPDE-Serie Laser-Wegsensorenin der Waferverarbeitung
Lanbao-SensorPDE-Serie Laser-Wegsensoren: Kritische Anwendungen in der Waferfertigung
Dank ihrer außergewöhnlichen Leistungsfähigkeit spielen die Laser-Wegsensoren vom Typ PDE eine entscheidende Rolle in verschiedenen Wafer-Fertigungsprozessen:
◆Wafer-Ausrichtung und -Positionierung
Für Fotolithografie- und Bondprozesse, die eine Genauigkeit im Mikrometerbereich erfordern, messen unsere Sensoren präzise die Waferposition und die Neigungswinkel, um eine perfekte Masken-Wafer-Ausrichtung und Positionierung des Bondarms zu gewährleisten – und so die Präzision der Musterübertragung zu verbessern.
◆Waferdickenmessung
Ermöglicht die berührungslose Dickenmessung mit Echtzeitüberwachung während der Abscheidungsprozesse und gewährleistet so eine optimale Dünnschicht-Qualitätskontrolle.
◆Prüfung der Wafer-Ebenheit
Erkennung von Waferverformungen und Oberflächendeformationen mit Submikrometerauflösung, um zu verhindern, dass defekte Wafer in den weiteren Produktionsprozess gelangen.
◆Dünnschichtdickenüberwachung
Bereitstellung von Echtzeit-Abscheidungsdickenüberwachung während CVD/PVD-Prozessen zur Einhaltung strenger elektrischer Leistungsspezifikationen.
◆Oberflächenfehlererkennung
Identifizierung von Oberflächenanomalien im Mikrometerbereich (Kratzer, Partikel) durch hochauflösende Verschiebungsabbildung, wodurch die Fehlererkennungsrate deutlich verbessert wird.
◆Zustandsüberwachung der Ausrüstung
Erfassung kritischer Komponentenverschiebungen (Roboterarme, Bühnenbewegungen) und Maschinenschwingungen zur vorausschauenden Wartung und Stabilitätsoptimierung.
Die PDE-Serie von Lanbao schließt nicht nur entscheidende Technologielücken im chinesischen Markt für High-End-Industriesensoren, sondern setzt mit ihrer außergewöhnlichen Leistung auch neue globale Maßstäbe. Ob Steigerung der Ausbeute, Senkung der Produktionskosten oder Beschleunigung der Prozessentwicklung der nächsten Generation – die PDE-Serie ist Ihre optimale Lösung für die Herausforderungen in der Präzisions-Halbleiterfertigung!
Veröffentlichungsdatum: 08. Mai 2025