Die Halbleiterfertigung zählt zu den präzisesten und technologisch komplexesten Bereichen der modernen Hightech-Industrie. Mit der Weiterentwicklung der Chip-Prozesse hin zu 3 nm und sogar noch kleineren Knoten bestimmt die Messgenauigkeit von Waferdicke, Oberflächenebenheit und Mikrostrukturabmessungen direkt die Chipausbeute und -leistung. In diesem Zusammenhang sind Laser-Wegmesssensoren mit ihrer berührungslosen Funktionsweise, ihrer überragenden Präzision, ihren schnelleren Reaktionszeiten und ihrer verbesserten Stabilität zu unverzichtbaren „Messaugen“ im gesamten Halbleiterfertigungsprozess geworden.
Als Kernsubstrat der Halbleiterfertigung erfordern Wafer während der Produktion höchste Präzision und Zuverlässigkeit. Unter den vielen kritischen Phasen der Waferherstellung ist die genaue Wegmessung von größter Bedeutung – sie wirkt sich direkt auf die Leistung und Ausbeute des fertigen Chips aus. Als Innovationsführer im chinesischen Industriesensorsektor haben sich die Laser-Wegsensoren der PDE-Serie von Lansensor mit einer Auflösung im Mikrometerbereich, intelligenten Algorithmen und industrietauglicher Zuverlässigkeit als bevorzugte Lösung für Waferherstellungsprozesse etabliert.
Präzisionsherausforderungen bei der Waferherstellung und die Vorteile von Laser-Wegmesssensoren
Die Waferherstellung umfasst eine Reihe komplexer Prozesse wie Fotolithografie, Ätzen, Dünnschichtabscheidung und Bonden – jeder dieser Prozesse erfordert höchste Präzision im Mikrometer- oder sogar Nanometerbereich. Beispiele:
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Bei der Fotolithografie ist eine präzise Ausrichtung zwischen Fotomaske und Wafer entscheidend, um eine genaue Musterübertragung auf die Waferoberfläche zu gewährleisten.
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Bei der Dünnschichtabscheidung ist eine genaue Kontrolle der Schichtdicke von entscheidender Bedeutung, um die elektrische Leistung der Geräte zu gewährleisten.
Schon kleinste Abweichungen können zu Produktfehlern führen oder sogar eine ganze Charge Wafer unbrauchbar machen.
Herkömmliche mechanische Messmethoden genügen diesen hohen Präzisionsanforderungen oft nicht. Darüber hinaus besteht die Gefahr, dass die empfindliche Waferoberfläche beschädigt oder verunreinigt wird. Aufgrund ihrer langsamen Reaktionsgeschwindigkeit sind sie für die Anforderungen der modernen Messtechnik nicht geeignet.
LanbaoSensorLaser-Wegsensoren der PDE-Serie: Die optimale Lösung für Waferanwendungen
◆Berührungslose Lasermessung
Verwendet die Laserstrahlprojektion auf Zieloberflächen und analysiert reflektierte/gestreute Signale, um Verschiebungsdaten zu erhalten. Dadurch wird der physische Kontakt mit Wafern vermieden, um mechanische Schäden und Kontaminationsrisiken zu vermeiden.
◆Präzision im Mikrometerbereich
Fortschrittliche Lasertechnologie und Signalverarbeitungsalgorithmen liefern Messgenauigkeit und Auflösung im Mikrometerbereich und erfüllen so die extremen Präzisionsanforderungen der Waferherstellung.
◆Ultraschnelle Reaktion (<10 ms)
Ermöglicht die Echtzeitüberwachung dynamischer Produktionsschwankungen und ermöglicht die sofortige Erkennung und Korrektur von Abweichungen zur Steigerung der Fertigungseffizienz.
◆Außergewöhnliche Materialverträglichkeit
Kann verschiedene Materialien und Oberflächentypen messen, ist stark an die Umgebung anpassbar und für mehrere Halbleiterprozessstufen geeignet.
◆Kompaktes Industriedesign
Der kompakte Formfaktor erleichtert die nahtlose Integration in automatisierte Geräte und Steuerungssysteme und ermöglicht eine intelligente Prozessüberwachung und Regelungsanpassung.
Anwendungsszenarien vonLaser-Wegsensoren der PDE-Seriein der Waferverarbeitung
Lanbao-SensorLaser-Wegsensoren der PDE-Serie: Kritische Anwendungen in der Waferherstellung
Dank ihrer außergewöhnlichen Leistung spielen die Lansensor PDE-Laser-Wegsensoren eine entscheidende Rolle bei zahlreichen Waferherstellungsprozessen:
◆Waferausrichtung und -positionierung
Bei Fotolithografie- und Bondprozessen, die eine Genauigkeit im Mikrometerbereich erfordern, messen unsere Sensoren die Waferposition und die Neigungswinkel präzise, um eine perfekte Ausrichtung zwischen Maske und Wafer sowie eine Positionierung des Bondarms sicherzustellen und so die Präzision der Musterübertragung zu verbessern.
◆Waferdickenmesstechnik
Ermöglicht eine berührungslose Dickenmessung mit Echtzeitüberwachung während Abscheidungsprozessen und gewährleistet so eine optimale Qualitätskontrolle der Dünnschicht.
◆Wafer-Ebenheitsprüfung
Erkennen von Waferverwerfungen und Oberflächendeformationen mit einer Auflösung im Submikrometerbereich, um zu verhindern, dass defekte Wafer weiter in den Prozess gelangen.
◆Überwachung der Dünnschichtdicke
Bietet Echtzeit-Verfolgung der Ablagerungsdicke während CVD/PVD-Prozessen, um strenge elektrische Leistungsspezifikationen einzuhalten.
◆Oberflächendefekterkennung
Identifizierung von Oberflächenanomalien im Mikrometerbereich (Kratzer, Partikel) durch hochauflösendes Displacement Mapping, wodurch die Fehlererkennungsrate erheblich verbessert wird.
◆Überwachung des Gerätezustands
Verfolgung kritischer Komponentenverschiebungen (Roboterarme, Bühnenbewegungen) und Maschinenvibrationen zur vorausschauenden Wartung und Stabilitätsoptimierung.
Die PDE-Serie von Lanbao Sensor schließt nicht nur kritische Technologielücken im chinesischen Markt für hochwertige Industriesensoren, sondern setzt mit ihrer außergewöhnlichen Leistung auch weltweit neue Maßstäbe. Ob Sie die Ausbeute steigern, die Produktionskosten senken oder die Prozessentwicklung der nächsten Generation beschleunigen möchten – die PDE-Serie ist Ihre ultimative Waffe zur Bewältigung der Herausforderungen in der Präzisionshalbleiterfertigung!
Beitragszeit: 08. Mai 2025