Pembuatan semikonduktor berdiri sebagai salah satu bidang yang paling menuntut ketepatan dan teknologi yang kompleks dalam industri teknologi tinggi hari ini. Apabila proses cip maju ke arah 3nm dan bahkan nod yang lebih kecil, ketepatan ukuran untuk ketebalan wafer, kerataan permukaan dan dimensi struktur mikro secara langsung menentukan hasil dan prestasi cip. Dalam konteks ini, penderia anjakan laser, dengan operasi tanpa sentuhan, ketepatan yang unggul, masa tindak balas yang lebih pantas dan kestabilan yang dipertingkatkan, telah menjadi "mata ukuran" yang amat diperlukan sepanjang proses pembuatan semikonduktor.
Sebagai substrat teras fabrikasi peranti semikonduktor, wafer memerlukan ketepatan dan kebolehpercayaan yang melampau semasa pengeluaran. Di antara banyak peringkat kritikal pembuatan wafer, pengukuran anjakan yang tepat adalah yang paling penting—ia secara langsung memberi kesan kepada prestasi dan hasil cip akhir. Sebagai peneraju inovasi dalam sektor penderiaan industri China, penderia anjakan laser siri PDE Lansensor, yang menampilkan resolusi tahap mikron, algoritma pintar dan kebolehpercayaan gred industri, telah muncul sebagai penyelesaian pilihan untuk proses pembuatan wafer.
Cabaran Ketepatan dalam Pembuatan Wafer dan Kelebihan Penderia Anjakan Laser
Pembuatan wafer melibatkan satu siri proses yang kompleks seperti fotolitografi, etsa, pemendapan filem nipis dan ikatan—setiap satu memerlukan ketepatan yang ketat pada tahap mikrometer atau malah nanometer. Contohnya:
-
Dalam fotolitografi, penjajaran tepat antara photomask dan wafer adalah penting untuk memastikan pemindahan corak yang tepat ke permukaan wafer.
-
Semasa pemendapan filem nipis, kawalan tepat ketebalan filem adalah penting untuk menjamin prestasi elektrik peranti.
Malah penyimpangan yang sedikit boleh menyebabkan kecacatan produk atau malah menyebabkan keseluruhan kumpulan wafer tidak dapat digunakan.
Kaedah pengukuran mekanikal tradisional sering gagal dalam memenuhi permintaan ketepatan tinggi tersebut. Lebih-lebih lagi, mereka berisiko merosakkan atau mencemari permukaan wafer yang rapuh, manakala kelajuan tindak balas yang perlahan menjadikan mereka tidak mencukupi untuk keperluan metrologi yang canggih.
LanbaopenderiaPenderia Anjakan Laser Siri PDE: Penyelesaian Optimum untuk Aplikasi Wafer
◆Pengukuran Laser tanpa sentuhan
Menggunakan unjuran pancaran laser ke permukaan sasaran, menganalisis isyarat yang dipantulkan/tersebar untuk mendapatkan data anjakan - menghapuskan sentuhan fizikal dengan wafer untuk mengelakkan kerosakan mekanikal dan risiko pencemaran.
◆Ketepatan peringkat mikron
Teknologi laser termaju dan algoritma pemprosesan isyarat menyampaikan ketepatan dan resolusi ukuran skala mikrometer, memenuhi permintaan ketepatan melampau proses fabrikasi wafer.
◆Respons Sangat Pantas (<10ms)
Membolehkan pemantauan masa nyata variasi pengeluaran dinamik, membolehkan pengesanan dan pembetulan sisihan serta-merta untuk meningkatkan kecekapan pembuatan.
◆Keserasian Bahan Luar Biasa
Mampu mengukur pelbagai bahan dan jenis permukaan dengan kebolehsuaian persekitaran yang kukuh, sesuai untuk pelbagai peringkat proses semikonduktor.
◆Reka Bentuk Perindustrian Padat
Faktor bentuk padat memudahkan penyepaduan lancar ke dalam peralatan automatik dan sistem kawalan, membolehkan pemantauan proses pintar dan pelarasan gelung tertutup.
Senario Aplikasi bagiPenderia Anjakan Laser Siri PDEdalam Pemprosesan Wafer
Penderia LanbaoPenderia Anjakan Laser Siri PDE: Aplikasi Kritikal dalam Pembuatan Wafer
Dengan prestasi yang luar biasa, penderia anjakan laser PDE Lansensor memainkan peranan penting dalam pelbagai proses fabrikasi wafer:
◆Penjajaran & Kedudukan Wafer
Untuk fotolitografi dan proses ikatan yang memerlukan ketepatan tahap mikron, penderia kami mengukur kedudukan wafer dan sudut kecondongan dengan tepat untuk memastikan penjajaran topeng-ke-wafer yang sempurna dan kedudukan lengan ikatan - meningkatkan ketepatan pemindahan corak.
◆Metrologi Ketebalan Wafer
Mendayakan pengukuran ketebalan bukan sentuhan dengan pemantauan masa nyata semasa proses pemendapan, memastikan kawalan kualiti filem nipis yang optimum.
◆Pemeriksaan Kerataan Wafer
Mengesan lengkokan wafer dan ubah bentuk permukaan dengan resolusi sub-mikron untuk menghalang wafer yang rosak daripada maju ke hilir.
◆Pemantauan Ketebalan Filem Nipis
Menyediakan pengesanan ketebalan pemendapan masa nyata semasa proses CVD/PVD untuk mengekalkan spesifikasi prestasi elektrik yang ketat.
◆Pengesanan Kecacatan Permukaan
Mengenal pasti anomali permukaan berskala mikron (calar, zarah) melalui pemetaan anjakan resolusi tinggi, meningkatkan kadar pengesanan kecacatan dengan ketara.
◆Pemantauan Keadaan Peralatan
Menjejak anjakan komponen kritikal (lengan robot, pergerakan pentas) dan getaran mesin untuk penyelenggaraan ramalan dan pengoptimuman kestabilan.
Siri PDE sensor Lanbao bukan sahaja merapatkan jurang teknologi kritikal dalam pasaran penderia industri mewah China tetapi mewujudkan penanda aras global baharu dengan prestasi luar biasanya. Sama ada meningkatkan kadar hasil, mengurangkan kos pengeluaran atau mempercepatkan pembangunan proses gen seterusnya, siri PDE berdiri sebagai senjata muktamad anda untuk menakluki cabaran pembuatan semikonduktor ketepatan!
Masa siaran: Mei-08-2025