D'Hallefleiterproduktioun ass ee vun de präzis usprochsvollsten a technologesch komplexsten Beräicher an der haiteger High-Tech-Industrie. Well Chipprozesser sech op 3nm a souguer méi kleng Knuet virukommen, bestëmmt d'Genauegkeet vun de Miessunge fir Waferdicke, Uewerflächenflaachheet a Mikrostrukturdimensiounen direkt den Chiprendicke an d'Leeschtung. An dësem Kontext sinn Laserverrécklungssensoren, mat hirem kontaktlose Betrib, hirer iwwerleeëner Präzisioun, hire méi schnelle Reaktiounszäiten a verbesserter Stabilitéit, zu onverzichtbaren "Miessauen" am ganze Hallefleiterproduktiounsprozess ginn.
Als Kärsubstrat vun der Fabrikatioun vun Hallefleederkomponenten erfuerderen Waferen extrem Präzisioun a Zouverlässegkeet während der Produktioun. Ënnert de ville kritesche Phasen vun der Waferfabrikatioun ass eng korrekt Verrécklungsmiessung vun essentieller Bedeitung - si beaflosst direkt d'Performance an d'Ausbezuelung vum finale Chip. Als Innovatiounsleader am industrielle Sensorsecteur a China hunn d'PDE-Serie Laserverrécklungssensoren vu Lansensor, mat enger Opléisung op Mikronniveau, intelligenten Algorithmen an Zouverlässegkeet vun industrieller Qualitéit, sech als déi bevorzugt Léisung fir Waferfabrikatiounsprozesser erausgestallt.
Präzisiouns-Erausfuerderungen an der Waferherstellung an d'Virdeeler vu Laserverrécklungssensoren
D'Waferproduktioun ëmfaasst eng Serie vu komplexe Prozesser wéi Photolithographie, Ätzen, Dënnschichtoflagerung a Bindung - all erfuerdert eng streng Präzisioun op Mikrometer- oder souguer Nanometerniveau. Zum Beispill:
-
Bei der Photolithographie ass eng präzis Ausriichtung tëscht der Fotomask an dem Wafer entscheedend, fir eng korrekt Musteriwwerdroung op d'Waferuewerfläch ze garantéieren.
-
Wärend der Dënnschichtoflagerung ass eng exakt Kontroll vun der Schichtdicke essentiell fir déi elektresch Leeschtung vun den Apparater ze garantéieren.
Souguer déi klengst Ofwäichung kann zu Produktdefekter féieren oder souguer eng ganz Charge vu Waferen onbrauchbar maachen.
Traditionell mechanesch Miessmethoden erfëllen dacks net sou héichpräzis Ufuerderungen. Ausserdeem riskéiere se, d'fragil Waferuewerfläch ze beschiedegen oder ze kontaminéieren, während hir lues Reaktiounsgeschwindegkeet se net ausreechend fir modern Metrologieufuerderungen mécht.
LanbaoSensorPDE Serie LaserverrécklungssensorenDéi optimal Léisung fir Wafer-Uwendungen
◆Kontaktlos Lasermiessung
Benotzt Laserstrahlprojektioun op Ziloberflächen, analyséiert reflektéiert/street Signaler fir Verrécklungsdaten ze kréien - andeems de physesche Kontakt mat Waferen eliminéiert gëtt, fir mechanesch Schued a Kontaminatiounsrisiken ze vermeiden.
◆Präzisioun op Mikronniveau
Fortgeschratt Lasertechnologie an Signalveraarbechtungsalgorithmen liwweren Miessgenauegkeet a Resolutioun op Mikrometerniveau a gerecht doduerch déi extrem Präzisiounsufuerderunge vu Waferfabrikatiounsprozesser.
◆Ultra-schnell Reaktioun (<10ms)
Erméiglecht Echtzäit-Iwwerwaachung vun dynamesche Produktiounsvariatiounen, wat eng direkt Detektioun an Korrektur vun Ofwäichungen erméiglecht, fir d'Produktiounseffizienz ze verbesseren.
◆Aussergewéinlech Materialkompatibilitéit
Fäeg fir verschidde Materialien an Uewerflächentypen ze moossen mat staarker Ëmweltadaptatioun, gëeegent fir verschidde Hallefleiterprozessstadien.
◆Kompakt Industriedesign
Déi kompakt Form erliichtert eng nahtlos Integratioun an automatiséiert Ausrüstung a Kontrollsystemer, wat intelligent Prozessiwwerwaachung an zougemaachte Upassunge erméiglecht.
Applikatiounsszenarie vunPDE Serie Laserverrécklungssensorenan der Waferveraarbechtung
Lanbao-SensorPDE Serie LaserverrécklungssensorenKritesch Uwendungen an der Waferfabrikatioun
Mat aussergewéinlecher Leeschtung spillen d'Lansensor PDE Laserverrécklungssensoren eng wichteg Roll a verschiddene Waferfabrikatiounsprozesser:
◆Wafer-Ausriichtung & Positionéierung
Fir Photolithographie a Bondingprozesser, déi Genauegkeet op Mikronniveau erfuerderen, moossen eis Sensoren d'Waferpositioun an d'Kippwénkel präzis, fir eng perfekt Ausriichtung vu Mask op Wafer an d'Positionéierung vum Bondingarm ze garantéieren - wat d'Prezisioun vum Mustertransfer verbessert.
◆Waferdicke Metrologie
Erméiglecht eng kontaktlos Décktmiessung mat Echtzäit-Iwwerwaachung während den Oflagerungsprozesser, wat eng optimal Qualitéitskontroll vun Dënnschicht garantéiert.
◆Inspektioun vun der Wafer-Flaachheet
Detektioun vu Wafer-Verzerrung a Uewerflächendeformatioun mat Submikron-Opléisung, fir ze verhënneren, datt defekt Waferen no ënnen virukommen.
◆Iwwerwaachung vun der Dënnschichtdicke
Echtzäit-Iwwerwaachung vun der Oflagerungsdicke während CVD/PVD-Prozesser fir strikt elektresch Leeschtungsufuerderunge z'erhalen.
◆Detektioun vu Uewerflächendefekter
Identifikatioun vun Uewerflächenanomalien op Mikrometerniveau (Kratzer, Partikelen) duerch héichopléisend Verrécklungskartéierung, wat d'Detektiounsraten vun Defekter däitlech verbessert.
◆Iwwerwaachung vum Zoustand vun der Ausrüstung
Iwwerwaachung vu Verrécklunge vu kritesche Komponenten (Roboteräerm, Bünbeweegungen) a Maschinnevibratiounen fir prädiktiv Ënnerhalt an Stabilitéitsoptimiséierung.
D'PDE-Serie vum Lanbao Sensor iwwerbréckt net nëmmen déi kritesch Technologielücken am chinesesche Maart fir industriell Sensoren mat héijer Qualitéit, mee setzt och nei global Standarden mat hirer aussergewéinlecher Leeschtung. Egal ob et drëm geet, d'Produktiounskäschten ze erhéijen, d'Produktiounskäschten ze reduzéieren oder d'Entwécklung vu Prozesser vun der nächster Generatioun ze beschleunegen, d'PDE-Serie ass Är ultimativ Waff fir d'Erausfuerderungen an der Präzisiounshalbleiterproduktioun ze bewältegen!
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08. Mee 2025