Halvlederproduktion fremstår som et af de mest præcisionskrævende og teknologisk komplekse områder i dagens højteknologiske industri. Efterhånden som chipprocesser udvikler sig mod 3 nm og endnu mindre noder, bestemmer nøjagtigheden af målinger af wafertykkelse, overfladeplanhed og mikrostrukturdimensioner direkte chippens udbytte og ydeevne. I denne sammenhæng er laserforskydningssensorer med deres berøringsfri drift, overlegne præcision, hurtigere responstider og forbedrede stabilitet blevet uundværlige "måleøjne" i hele halvlederproduktionsprocessen.
Som det centrale substrat i fremstillingen af halvlederkomponenter kræver wafere ekstrem præcision og pålidelighed under produktionen. Blandt de mange kritiske faser i waferfremstilling er nøjagtig måling af forskydning altafgørende – det påvirker direkte den endelige chip's ydeevne og udbytte. Som en innovationsleder i Kinas industrielle sensorsektor er Lansensors PDE-serie laserforskydningssensorer med mikronniveauopløsning, intelligente algoritmer og industriel pålidelighed blevet den foretrukne løsning til waferfremstillingsprocesser.
Præcisionsudfordringer i waferfremstilling og fordelene ved laserforskydningssensorer
Waferfremstilling involverer en række komplekse processer såsom fotolitografi, ætsning, tyndfilmsaflejring og binding – der hver især kræver streng præcision på mikrometer- eller endda nanometerniveau. For eksempel:
-
I fotolitografi er præcis justering mellem fotomasken og waferen afgørende for at sikre nøjagtig mønsteroverførsel til waferoverfladen.
-
Under tyndfilmsaflejring er nøjagtig kontrol af filmtykkelsen afgørende for at garantere enhedernes elektriske ydeevne.
Selv den mindste afvigelse kan føre til produktfejl eller endda gøre et helt parti wafere ubrugelige.
Traditionelle mekaniske målemetoder lever ofte ikke op til sådanne højpræcisionskrav. Derudover risikerer de at beskadige eller forurene den skrøbelige waferoverflade, mens deres langsomme responshastigheder gør dem utilstrækkelige til banebrydende metrologiske krav.
LanbaosensorenPDE-seriens laserforskydningssensorerDen optimale løsning til waferapplikationer
◆Berøringsfri lasermåling
Anvender laserstråleprojektion på måloverflader og analyserer reflekterede/spredte signaler for at indhente forskydningsdata - hvilket eliminerer fysisk kontakt med wafere for at forhindre mekanisk skade og risiko for kontaminering.
◆Præcision på mikronniveau
Avanceret laserteknologi og signalbehandlingsalgoritmer leverer målenøjagtighed og opløsning på mikrometerskala og opfylder dermed de ekstreme præcisionskrav i waferfremstillingsprocesser.
◆Ultrahurtig respons (<10ms)
Muliggør overvågning af dynamiske produktionsvariationer i realtid, hvilket giver mulighed for øjeblikkelig afvigelsesdetektion og -korrektion for at forbedre produktionseffektiviteten.
◆Enestående materialekompatibilitet
I stand til at måle forskellige materialer og overfladetyper med stærk miljøtilpasningsevne, egnet til flere halvlederprocesstadier.
◆Kompakt industrielt design
Den kompakte formfaktor muliggør problemfri integration i automatiseret udstyr og styresystemer, hvilket muliggør intelligent procesovervågning og lukket kredsløbsjustering.
Anvendelsesscenarier forPDE-seriens laserforskydningssensoreri waferforarbejdning
Lanbao-sensorPDE-seriens laserforskydningssensorerKritiske anvendelser i waferfremstilling
Med enestående ydeevne spiller Lansensor PDE-laserforskydningssensorer en afgørende rolle på tværs af flere waferfremstillingsprocesser:
◆Waferjustering og -positionering
Til fotolitografi og bondingprocesser, der kræver nøjagtighed på mikronniveau, måler vores sensorer præcist waferposition og hældningsvinkler for at sikre perfekt justering mellem maske og wafer og positionering af bondingarmen - hvilket forbedrer præcisionen af mønsteroverførsel.
◆Wafertykkelsesmåling
Muliggør kontaktløs tykkelsesmåling med realtidsovervågning under aflejringsprocesser, hvilket sikrer optimal kvalitetskontrol af tyndfilm.
◆Inspektion af waferplanhed
Detektering af wafer-vridning og overfladedeformation med submikronopløsning for at forhindre defekte wafers i at bevæge sig nedstrøms.
◆Overvågning af tyndfilmstykkelse
Tilvejebringer realtidssporing af aflejringstykkelse under CVD/PVD-processer for at opretholde strenge specifikationer for elektrisk ydeevne.
◆Detektion af overfladefejl
Identificering af overfladeanomalier på mikronniveau (ridser, partikler) gennem forskydningskortlægning med høj opløsning, hvilket forbedrer defektdetekteringsraterne betydeligt.
◆Overvågning af udstyrstilstand
Sporing af kritiske komponentforskydninger (robotarme, scenebevægelser) og maskinvibrationer med henblik på prædiktiv vedligeholdelse og stabilitetsoptimering.
Lanbao-sensorernes PDE-serie bygger ikke kun bro over kritiske teknologihuller på Kinas marked for avancerede industrielle sensorer, men sætter også nye globale standarder med sin exceptionelle ydeevne. Uanset om det drejer sig om at øge udbyttet, reducere produktionsomkostningerne eller accelerere næste generations procesudvikling, står PDE-serien som dit ultimative våben til at overvinde udfordringer inden for præcisionsfremstilling af halvledere!
Udsendelsestidspunkt: 8. maj 2025