स्लॉट फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर डीटीपी श्रृंखला एनपीएन + पीएनपी एनओ / एनसी लिफ्ट उद्योग के लिए बीम फ्लैट परत स्विच के माध्यम से
पता लगाने की विधि: किरण के माध्यम से
रेटेड दूरी: 30 मिमी (समायोज्य नहीं)
मानक लक्ष्य:Φ6मिमी अपारदर्शी वस्तुओं के ऊपर
प्रकाश स्रोत: इन्फ्रारेड एलईडी (मॉड्यूलेशन)
आउटपुट प्रकार: NO/NC वैकल्पिक (भाग संख्या पर निर्भर करता है)
आपूर्ति वोल्टेज: 10…30 VDC
सबसे छोटा डिटेक्टर:Φ3मिमी अपारदर्शी वस्तुओं के ऊपर
लोड करंट:≤100mA
अवशिष्ट वोल्टेज:≤2.5V
प्रतिक्रिया समय: अधिकतम, 1ms
| एनपीएन+पीएनपी | सं/एनसी | डीटीपी-U30S-TDFB |
| पता लगाने की विधि | बीम के माध्यम से |
| निर्धारित दूरी | 30 मिमी (समायोज्य नहीं) |
| मानक लक्ष्य | Φ6मिमी अपारदर्शी वस्तुओं के ऊपर |
| प्रकाश स्रोत | इन्फ्रारेड एलईडी (मॉड्यूलेशन) |
| उत्पादन का प्रकार | NO/NC वैकल्पिक (भाग संख्या पर निर्भर करता है) |
| वोल्टेज आपूर्ति | 10…30 वीडीसी |
| सबसे छोटा डिटेक्टर | Φ3मिमी अपारदर्शी वस्तुओं के ऊपर |
| भार बिजली | ≤100एमए |
| अवशिष्ट वोल्टेज | ≤2.5 वी |
| उपभोग वर्तमान | ≤20एमए |
| सर्किट संरक्षण | शॉर्ट सर्किट संरक्षण, अधिभार संरक्षण, रिवर्स पोलरिटी संरक्षण |
| प्रतिक्रिया समय | अधिकतम, 1ms |
| आउटपुट संकेत | पीला एलईडी |
| विरोधी परिवेश प्रकाश | धूप:≤20000Lx; तापदीप्ति:≤3000Lx |
| परिवेश का तापमान | - 15 डिग्री सेल्सियस…55 डिग्री सेल्सियस |
| पर्यावरण आर्द्रता | 35-95%आरएच (कोई संक्षेपण नहीं) |
| उच्च दबाव प्रतिरोधी | 1000V/एसी 50/60Hz 60s |
| इन्सुलेशन प्रतिरोध | ≥50एमक्यू(500वीडीसी) |
| कंपन प्रतिरोधी | जटिल आयाम 1.5 मिमी 10 … 50 हर्ट्ज (X, Y, और Z दिशाओं में 2 घंटे प्रत्येक) |
| सुरक्षा की डिग्री | आईपी64 |
| संबंध | 4-पिन 2 मीटर पीवीसी केबल |
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